电流开关技术是一种新的采样的模拟信号，保持，处理技术。它具有电流模式电路，诸如速度，适用于低电压操作等的独特的优势。与常规的开关电容技术相比，电流开关技术不需要线电容和高性能运算放大器，晶体管构成的整个电路，它可以是与标准数字CMOS工艺兼容。电流开关电路和时钟馈通的传输错误的错误，并提出解决方案的详细的分析。

     时钟馈通误差分析

     时钟馈通误差是一个复杂的物理现象，在那里当前切换到第二代的存储单元作为用于分析的示例。

     图1是存储单元，图图2是一电荷注入概略断开关。

     在图中所示的存储器单元。 1，MS沟道电荷可以近似描述为：

     其中：Cax的是每单位面积的栅极氧化物电容; wseff Lseff和M均为有效沟道宽度和长度;是MS的栅极源极电压Vgs;毫秒Vt是阈值电压由式（2）给出：

     公式：2 | φF|强的表面反型层屏障; R＆LT阈值参数是主体;的VT0阈值电压为Vgs = 0时是。

     在正常情况下，1V

     式（3）代入式（1），以得到注入通道电荷存储电容器是：

     其中：水溶液分配系数表示通道电荷存储电容器注射，典型值：水溶液= 1/2。由栅极电荷电容器Co1扩散覆盖，到存储电容器是：

     获得在整个式（4）和所述注入的电荷的（5）司的总量：