1，pi结型FET鉴定：

     该FET对应于晶体管，所述源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极的基极的栅极。万用表R×1k档，表T具有两个分别测量每个两个销之间的正和负电阻。当正，负电阻两个销之间具有相等的几个KΩ，则两个销到漏极d和源极S（可互换），剩余的一个引脚是栅极G.对于四个pi结型场效应晶体管，进一步的电极是屏蔽磁极（接地在使用中）。

     如图2所示，栅极被确定

     万用表用黑色笔触摸电极管，红色笔触碰另外两个电极，分别。如果这两个测量的电阻很小，正向电阻描述，属于沟道FET管，黑笔是栅极接触。

     制造过程确定FET的源极和漏极是对称的，并且可以互换使用，不会影响该电路的正常工作，这是没有必要区分。源极和漏极之间的电阻是大约几千欧。

     注意，此方法不能确定栅极绝缘栅型场效应晶体管。由于这种管是非常高的输入电阻，栅极和源极之间的一个小的电极间电容，只要电荷的测量值，可以在电极间电容而形成高电压，管容易被损坏。

     3，放大能力估计FET

     万用表拨R×100个档，红色笔接的源极S连接到黑笔漏极d，FET相当于1.5V加的电源电压。此时指示的手是电阻值与d-S极。手指和栅极G之间，所述主体的作为输入信号的感应电压施加到栅极。由于管的放大，UDS和ID会发生变化，而且还对应于d-S极的电阻的变化，手可以观察到相对大的摆动。如果捏手摆动门非常小，这表明在管的弱放大能力;如果手不动，该管已损坏。

     操作点由于在人体内诱导较高50Hz的交变电压时，场效应管阻力的不同简档的测量可以是不同的，所以当手可能雍熟嗫右摆动门，其可以摆动到左侧。几根管子RDS减小，使手右摇摆，大部分的管RDS增加时，摆动离开手。不管手的摆动的方向，只要有明显摆动，这意味着该管有一个扩大的容量。

     此方法也适用于所测量的MOS晶体管。为了保护MOS FET必须是绝缘的手保持螺丝刀柄，具有触摸栅极金属杆，以防止人体传感器直接施加到栅极的电荷，向管的损坏。

     MOS晶体管的每个测量完成时，G-S将被填充有少量电荷的结电容，电压建立UGS，再接着由计时手可能不动，然后点击之间的G-S极短路。

     目前引脚如图传统结型场效应晶体管和一个MOS型绝缘栅场效应晶体管的顺序。